Effects of O2 and N2 Gas Concentration on the Formation of Ho2O3 Gate Oxide on 4H-SiC Substrate
Autor: | Kazeem Olabisi Odesanya, Roslina Ahmad, Andri Andriyana, S. Ramesh, Chou Yong Tan, Yew Hoong Wong |
---|---|
Rok vydání: | 2022 |
Předmět: | |
Zdroj: | Silicon. 15:755-761 |
ISSN: | 1876-9918 1876-990X |
DOI: | 10.1007/s12633-022-02040-8 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |