Effects of O2 and N2 Gas Concentration on the Formation of Ho2O3 Gate Oxide on 4H-SiC Substrate

Autor: Kazeem Olabisi Odesanya, Roslina Ahmad, Andri Andriyana, S. Ramesh, Chou Yong Tan, Yew Hoong Wong
Rok vydání: 2022
Předmět:
Zdroj: Silicon. 15:755-761
ISSN: 1876-9918
1876-990X
DOI: 10.1007/s12633-022-02040-8
Databáze: OpenAIRE