Defect Symmetry from Stress Transient Spectroscopy

Autor:	J. W. Farmer, J. M. Meese, C. D. Lamp
Rok vydání:	1983
Předmět:	Stress (mechanics) Materials science Condensed matter physics Silicon chemistry Semiconductor materials General Physics and Astronomy chemistry.chemical_element Neutron Irradiation Activation energy Transient spectroscopy
Zdroj:	Physical Review Letters. 51:1286-1289
ISSN:	0031-9007
DOI:	10.1103/physrevlett.51.1286
Popis:	Etude du niveau E c -0,17 eV du silicium irradie par des neutrons, par spectroscopie transitoire sous contrainte uniaxiale. Determination de la symetrie des defauts, de la redistribution electronique induite par la contrainte et de l'orientation preferentielle des defauts. Mesure de l'energie d'activation de reorientation
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::487f81b4b1fd7eedfa4490c916c53cc1 https://doi.org/10.1103/physrevlett.51.1286 Zobrazit plný text záznamu