Investigation of n-CdSp-CdTe Thin Film Heterojunctions

Autor: E. I. Adieovich, Yu. M. Yuabov, G. R. Yagudaev
Rok vydání: 1971
Předmět:
Zdroj: Physica Status Solidi (a). 6:311-322
ISSN: 1521-396X
0031-8965
DOI: 10.1002/pssa.2210060136
Popis: Current—voltage, current—capacitance, photosensitivity, temperature, and spectral characteristics of SnO2n-CdSp-CdTeMe thin film structures have been investigated. The experimental results are explained by electron processes taking place in n-CdSp-CdTe heterojunctions. An n-CdSp-CdTe energy band diagram is suggested taking into account both surface charge and formation of an electrical dipole by interface states. An analysis of the experimental results on the basis of this model leads to a multi-step recombination—tunnelling mechanism. As may be seen from the n-CdSp-CdTe energy band diagram, both tunnelling and recombination develop in the narrow band gap material (CdTe). The number of tunnelling steps and the height of the barrier for each step have been determined for forward and reverse currents. Thin film photodiode arrays have been performed and investigated, which may serve as a multi-channel electrical input in optoelectronic systems. Die Strom—Spannungs-, Strom—Kapazitats-, Photoempfindlichkeits-, Temperatur- und Spektralcharakteristiken von SnO2(n)CdS(p)CdTeMe-Dunnschichtstrukturen wurden untersucht. Die experimentellen Ergebnisse werden durch Elektronenprozesse, die in (n)CdS(p)CdTe-Heteroubergangen stattfinden, erklart. Ein (n)CdS(p)CdTe-Energieband-diagramm wird vorgeschlagen, das sowohl Oberflachenzustande als auch Bildung von elektrischen Dipolen durch Grenzflachenzustande berucksichtigt. Eine Analyse der experimentellen Ergebnisse auf der Basis dieses Modells fuhrt zu einem mehrstufigen Rekombinations-Tunnel-Mechanismus. Wie aus dem (n)CdS(p)CdTe-Energiebanddiagramm ersichtlich, entwickeln sich Tunnelling und Rekombination in dem Material mit kleiner verbotener Zone (CdTe). Die Anzahl der Tunnelling-Stufen und die Barrierenhohe fur jede Stufe wird fur Durchlas- und Sperrstrom bestimmt. Dunnschicht-Photodiodenan-ordnungen, die als elektrischer Mehrkanal-Eingang in optoelektronischen Systemen dienen konnen, wurden entwickelt und untersucht.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: