Comment on: ‘‘Random telegraph signals arising from fast interface states in metal‐SiO2‐Si transistors’’ [Appl. Phys. Lett. 61, 1691 (1992)]

Autor: M. J. Uren
Rok vydání: 1993
Předmět:
Zdroj: Applied Physics Letters. 63:1443-1443
ISSN: 1077-3118
0003-6951
DOI: 10.1063/1.109651
Databáze: OpenAIRE