2.2 kV Breakdown Voltage AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode with Polarization Doping Modulated 3D Hole Gas Cap Layer and Polarization Junction Structure
Autor: | Fengbo Liao, Keming Zhang, Ni Zeng, Mengxiao Lian, Jialin Li, Xichen Zhang, Ziwei Tian, Yi-An Yin |
---|---|
Rok vydání: | 2022 |
Předmět: | |
Zdroj: | Journal of Electronic Materials. 51:3613-3623 |
ISSN: | 1543-186X 0361-5235 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |