Trivacancy in silicon: A combined DLTS and ab-initio modeling study

Autor:	V.P. Markevich, A.R. Peaker, S.B. Lastovskii, L.I. Murin, J. Coutinho, A.V. Markevich, V.J.B. Torres, P.R. Briddon, L. Dobaczewski, E.V. Monakhov
Rok vydání:	2009
Zdroj:	Journal of End-to-End-testing. 404:4565-4567
ISSN:	9999-9994
DOI:	10.1016/s9999-9994(09)20506-x
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::42def84389efc862df3a997c3c17ec47 https://doi.org/10.1016/s9999-9994(09)20506-x Zobrazit plný text záznamu