MISFIT DISLOCATIONS IN GaAs EPITAXIAL LAYERS ON In-DOPED GaAs GROWN BY MOVPE

Autor:	Duan Shukun, Wang Yu-Tian, LI Xuebin, LI Chengji
Rok vydání:	1991
Předmět:	Materials science business.industry Doping Optoelectronics Metalorganic vapour phase epitaxy business Epitaxy
DOI:	10.1016/b978-0-444-88825-9.50086-7
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::42d181829239260bd9a16202e0d56013 https://doi.org/10.1016/b978-0-444-88825-9.50086-7 Zobrazit plný text záznamu