Autor:	R. Burkova, V. Stavrov, H. Budinov
Rok vydání:	1989
Předmět:	Flash-lamp Ion implantation Silicon chemistry Impurity Annealing (metallurgy) Analytical chemistry chemistry.chemical_element Condensed Matter Physics Boron Electronic Optical and Magnetic Materials Nuclear chemistry BORO
Zdroj:	Physica Status Solidi (a). 114:K131-K134
ISSN:	1521-396X 0031-8965
DOI:	10.1002/pssa.2211140242
Popis:	Etude des proprietes physique et electrique du silicium dope par implantation ionique au phosphore et recuit par illumination flash. Les couches implantees sont completement activees sans diffusion notable. En utilisant des couches fortement dopees, on peut former des jonctions p-n tres superficielles
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::40e4558b9827c9639e6af2dd4db39e42 https://doi.org/10.1002/pssa.2211140242 Zobrazit plný text záznamu Plný text