5 to 100 MeV Ion Implantation and Its Simulation by The MARLOWE Program

Autor: K. G. Oppermann, T. Harms, W. R. Fahrner
Rok vydání: 1991
Předmět:
Zdroj: Physica Status Solidi (a). 123:109-118
ISSN: 1521-396X
0031-8965
DOI: 10.1002/pssa.2211230109
Popis: In high energy ion implantation (50 MeV < E < 1 GeV) an unexpected high contribution of channeling to the distribution of the implanted ions is found. Thus the experimentals are simulated by means of the MARLOWE-Monte-Carlo program: (i) For the case of a double peak distribution of the implanted damage (100 MeV Ne Si), it is shown that the short range peak is due to “amorphous” penetration, the other one due to channeling. (ii) For 112 MeV B, 50 MeV B, and 65 MeV P in Si, the range Rp and the straggling ΔRp do not agree with the experimental data and figures obtained from other simulation programs, and (iii) we apply the simulation to a multilayer CMOS mask structure. It turns out that MARLOWE is not suited for this problem simply for the CPU consumption. Bei Hochenergieimplantation (50 MeV < E < 1 GeV) wird ein unerwartet hoher Kanalisierungsbeitrag zur Verteilung der implantierten Ionen gefunden. Deshalb werden die Experimente mittels des MARLOWE-Monte-Carlo-Programmes simuliert: (1) fur den Fall einer Doppelmaximum-Verteilung des implantierten Damage (100 MeV Ne Si) wird gezeigt, das das kurzreichweitige Maximum durch „amorphe” Durchdringung, das andere durch Kanalisierung verursacht wird. (2) Fur 112 MeV B, 50 MeV B und 65 MeV P in Si, stimmen die Reichweite Rp und die Verteilung ΔRp nicht mit den experimentellen Werten und Kurven aus anderen Simulationsprogrammen uberein und (3) wird die Simulation auf eine Mehrschicht-CMOS-Maskenstruktur angewendet. Es ergibt sich, das MARLOWE fur dieses Problem nicht geeignet ist.
Databáze: OpenAIRE
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