Etching of Disc and Ring Patterns in Si3N4/GaN Structure by Ga+ FIB

Autor:	G. V. Voznyuk, M. I. Mitrofanov, W. V. Lundin, A. F. Tsatsul’nikov, V. P. Evtikhiev, S. N. Rodin
Rok vydání:	2019
Předmět:	010302 applied physics Materials science business.industry 02 engineering and technology 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics Ring (chemistry) 01 natural sciences Focused ion beam Atomic and Molecular Physics and Optics Electronic Optical and Magnetic Materials Etching (microfabrication) 0103 physical sciences Optoelectronics 0210 nano-technology business
Zdroj:	Semiconductors. 53:2100-2102
ISSN:	1090-6479 1063-7826
DOI:	10.1134/s1063782619120170
Popis:	The work presents experimental data of Ga+ focused ion beam etching of disc and ring patterns in Si3N4/GaN structure. The reasons for the difference in etching depth between the discs and the rings are described.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3f2a22f6ebd132a9d867ca3c5e8bd30a https://doi.org/10.1134/s1063782619120170 Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu PDF Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.