Some investigation of Si and SiO2 surfaces etched in CF4 or CF4O2 plasma

Autor:	K. I. Kirov, E. D. Atanasova, B. G. Pantchev, S. Georgiev
Rok vydání:	1980
Předmět:	Thermal oxidation business.product_category Morphology (linguistics) Chemistry Plasma Condensed Matter Physics Electronic Optical and Magnetic Materials O2 plasma Chemical engineering Polymer chemistry Die (manufacturing) Single crystal silicon Wafer business Layer (electronics)
Zdroj:	Physica Status Solidi (a). 59:853-859
ISSN:	1521-396X 0031-8965
DOI:	10.1002/pssa.2210590253
Popis:	The morphology of single crystal silicon and SiO2 surfaces etched in CF4 or CF4 + 5% O2 plasma as well as properties of MOS structures obtained by thermal oxidation of plasma etched Si are studied. The etched surfaces are rough and the shape and the size of the roughnesses depend mainly on the thickness of the removed layer and are different for Si and SiO2. The electrical properties of MOS structures fabricated on plasma etched Si surfaces can not be distinguished from those of reference samples, prepared on standard cleaned Si wafers. Die Morphologic der in CF4 oder in CF4 + 5% O2 Plasma-geatzten Si- und SiO2-Oberflachen wird untersucht. Die Oberflache nach dieser Behandlung wird rauh. Das Ausmas und die Gestalt der Rauhigkeiten hangen hauptsachlich von der Atztiefe ab, und sie sind verschieden fur Si- und SiO2- Oberflachen. Auserdem werden auch die elektrischen Eigenschaften der aus plasmageatzten Si- Scheiben und nachher durch thermische Oxidation hergestellten MOS-Strukturen untersucht. Die Eigenschaften solcher Strukturen unterscheiden sich nicht von Kontrollproben, die auf standardchemischgereinigten Si-Scheiben hergestellt werden.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::39607d7ba2c65c5202695834225601f2 https://doi.org/10.1002/pssa.2210590253 Zobrazit plný text záznamu Plný text