Anomalous Diffusion of Tin in GaAs
| Autor: | H. H. Erkaya, R. Lareau, R. J. Roedel, Peter Williams, A. R. Von Neida, J. Leavitt |
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| Rok vydání: | 1985 |
| Předmět: |
chemistry.chemical_classification
Renewable Energy Sustainability and the Environment Anomalous diffusion chemistry.chemical_element Condensed Matter Physics Surfaces Coatings and Films Electronic Optical and Magnetic Materials Secondary ion mass spectrometry chemistry Impurity Materials Chemistry Electrochemistry Physical chemistry p–n junction Tin Inorganic compound Nuclear chemistry |
| Zdroj: | Journal of The Electrochemical Society. 132:2214-2218 |
| ISSN: | 1945-7111 0013-4651 |
| DOI: | 10.1149/1.2114321 |
| Popis: | Essai d'obtention de jonctions-p par une technique a basse temperature en utilisant un systeme de diffusion pour «tube de fuite» en utilisant SnS comme source de Sn a diffuser dans un support de GaAs de type p. Forte diffusion de Sn dans GaAs, sans formation de region np, du probablement a un effet de paire ou un autre effet de compensation |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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