Comparative Investigation of CF 4 ‐ Plasma , Ar‐Plasma, and Dilute ‐ HF ‐ Dip Cleaning Methods for (Al‐Si)/n+Si Contacts

Autor:	J. H. Thomas, J. J. O'Neill, J. L. Vossen, R. S. Irven, T. J. Faith, J. M. Shaw
Rok vydání:	1987
Předmět:	Materials science Cleaning methods Renewable Energy Sustainability and the Environment Materials Chemistry Electrochemistry Analytical chemistry Plasma Condensed Matter Physics Surfaces Coatings and Films Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	Journal of The Electrochemical Society. 134:665-668
ISSN:	1945-7111 0013-4651
DOI:	10.1149/1.2100528
Popis:	Les nettoyages in situ a l'aide de plasmas reagissant de CF 4 et de plasmas de pulverisation par Ar sont compares au nettoyage par plongee dans HF dilue des contacts Al 1% Si/Si n + de dimensions (1 μm) 2 a (3 μm) 2 . Le traitement par CF 4 sous pression ≥100 mtorr donne des resistances de contact moyennes apres alliage deux fois plus faibles qu'apres lavage dans HF et des valeurs plus coherentes. La pulverisation par Ar donne une resistance de contact elevee (>300 Ω) quand Al est present dans la decharge. Une paillette de Mo pour eviter que Al ne se redepose sur les surfaces de contact pendant le nettoyage donne des resistances de contact excellentes avant alliage. Cependant, ces contacts se degradent au cours de l'alliage a 425°C et pendant les cycles thermiques vers 300°C
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::359d4a7c9c5224212a163c38a8eb499f https://doi.org/10.1149/1.2100528 Zobrazit plný text záznamu