Amorphous to crystalline state conversion in deposited silicon layers
| Autor: | S. Simov, K. I. Kirov, M. Kalitzova, B.G. Pantchev, A. Djakov, P. Danesh |
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| Rok vydání: | 1981 |
| Předmět: |
Amorphous silicon
Reflection high-energy electron diffraction Silicon chemistry.chemical_element Nanotechnology Condensed Matter Physics Epitaxy Electronic Optical and Magnetic Materials Amorphous solid Crystallography chemistry.chemical_compound Ion implantation chemistry Crystallite Single crystal |
| Zdroj: | Physica Status Solidi (a). 63:743-749 |
| ISSN: | 1521-396X 0031-8965 |
| DOI: | 10.1002/pssa.2210630245 |
| Popis: | RHEED and TEM of surface replicas are used to study the crystallization processes taking place after ion implantation with silicon ions and subsequent temperature annealing of amorphous silicon layers deposited on {111} silicon substrates through sputtering. The results indicate the simultaneous presence of amorphous, polycrystalline, and single crystal phases in the crystallized layers. The orientation of the single crystal phase points to an epitaxial growth. It is found that the penetration depth of the distribution peak of primary defects created by the implantation plays an important role in the appearance of an epitaxial growth. Mittels RHEED und TEM an Oberflachenabdrucken werden die Kristallisierungsvorgange untersucht, die nach der Ionenimplantation mit Siliziumionen und nachfolgendem Tempern in auf {111}-Siliziumsubstraten durch Katodenzerstaubung abgeschiedenen amorphen Siliziumschichten eintreten. Die Ergebnisse zeigen, das in den kristallisierten Schichten gleichzeitig amorphe, polykristalline und einkristalline Phasen vorhanden sind. Die Orientierung der einkristallinen Phase weist auf epitaktisches Wachstum hin. Es wird festgestellt, das fur das epitaktische Wachstum die Eindringtiefe des Verteilungsmaximums der wahrend der Implantation entstandenen primaren Defekte eine wichtige Rolle spielt. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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