Annealing High-Voltage 4H-SiC Schottky Diodes Irradiated with Electrons at a High Temperature

Autor:	A. A. Lebedev, V. V. Kozlovski, M. E. Levinshtein, D. A. Malevsky, G. A. Oganesyan, A. M. Strel’chuk, K. S. Davydovskaya
Rok vydání:	2022
Předmět:	Condensed Matter Physics Atomic and Molecular Physics and Optics Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	Semiconductors. 56:189-194
ISSN:	1090-6479 1063-7826
DOI:	10.1134/s1063782622020099
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3336aa32edab26208db7c70eb58d64da https://doi.org/10.1134/s1063782622020099 Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu PDF Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.