Characteristics of Pt/Schottky Diode s fabricated on the Cracked GaN Epitaxial Layer on (111) Silicon
Autor: | Soo Jin Chua, Sung-Jong Park, Yong-Woon Choi, Sung-Ho Hahm, Jung-Hee Lee, Wang Lian Shan, Heon-Bok Lee |
---|---|
Rok vydání: | 2004 |
Předmět: | |
Zdroj: | Extended Abstracts of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |