RRAM properties of swift heavy ion irradiated Ag/In2O3/Pt/Si heterostructures

Autor:	Utpal S. Joshi, Saif A. Khan, U.V. Chhaya, D.K. Avasthi, Bhaumik V. Mistry, S.J. Trivedi
Rok vydání:	2013
Předmět:	Nuclear and High Energy Physics Radiation Swift heavy ion Materials science Electrode General Materials Science Nanotechnology Heterojunction Irradiation Condensed Matter Physics Resistive random-access memory
Zdroj:	Radiation Effects and Defects in Solids. 168:625-629
ISSN:	1029-4953 1042-0150
DOI:	10.1080/10420150.2013.792815
Popis:	Resistance switching (RS) properties of nanostructured In2O3 films grown on Pt bottom electrode have been investigated for non-volatile memory applications. Ag/In2O3/Pt/Si layers were fabricated by...
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::31f8a7028f2809140a189a5a3b976a64 https://doi.org/10.1080/10420150.2013.792815 Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu PDF Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.