(Invited) Atomically Controlled Processing for Dopant Segregation in CVD Silicon and Germanium Epitaxial Growth

Autor:	Yuji Yamamoto, Junichi Murota, Matty Caymax, Ioan Costina, Roger Loo, Vinh Le Thanh, Bernd Tillack
Rok vydání:	2017
Předmět:	Materials science Dopant Silicon chemistry chemistry.chemical_element Nanotechnology Germanium Epitaxy
Zdroj:	ECS Transactions. 79:33-42
ISSN:	1938-5862 1938-6737
DOI:	10.1149/07901.0033ecst
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::30901b735b9b49d7c1d9fbcbd4fc2e0c https://doi.org/10.1149/07901.0033ecst Zobrazit plný text záznamu