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TIO thin films were deposited on the poly-carbonate substrates with RF magnetron sputtering underdifferent sputtering power condition to investigate the influence of deposition rate on the electrical and opticalproperties of the films. Although, all films have the similar carrier concentration, the films prepared at a lower dep-osition rate of 4 nm/min show a higher mobility of 5.96 cm 2 V −1 S −1 due to the low surface roughness. In addition,optical transmittance is also influenced by a deposition rate. Based on the figure of merit, it can be concluded thatthe lower deposition rate effectively enhances the opto-electrical performance of IGZO films for use as transpar-ent conducting oxides in flexible display applications.(Received February 5, 2016; Revised February 17, 2016; Accepted February 23, 2016)Key words : IGZO, magnetron sputtering, deposition rate, figure of merit 1. 서론 최근의 표시소자는 다양한 화상과 정보를 보다 빠르고 왜곡 없이 전달하기 위하여 고속전송, 고해상도기술로 발전하고 있으며, 이와 같은 경향에 맞추어투명 산화물반도체(Transparent Thin Film Transistor,TTFT)에 대한 연구가 활발히 이뤄지고 있다[1]. 특히 표시소자(Display)용 산화물반도체는 낮은 비저항과 높은 가시광 투과도가 동시에 요구되기 때문에기존의 ITO[2]외에도 미량의 Al이 첨가된 ZnO(AZO)[3] 등의 투명산화물 반도체가 보고되었다. 일반적으로 투명산화물 반도체는 RF 마그네트론스퍼터(Magnetron Sputter)[1] 또는 Pulsed LaserDeposition (PLD)[3]와 같은 물리적 기상 증착(Physical vapor deposition)으로 제작이 가능하며,특히 Ti가 첨가된 In |
