Tungsten/In–Sn–O stacked source/drain electrode structure of In–Ga–Zn–O thin-film transistor for low-contact resistance and suppressing channel shortening effect
Autor: | Tomomasa Ueda, Tsutomu Tezuka, Nobuyoshi Saito, Keiji Ikeda, Junji Kataoka, Tomoaki Sawabe |
---|---|
Rok vydání: | 2019 |
Předmět: | |
Zdroj: | Japanese Journal of Applied Physics. 58:SBBJ03 |
ISSN: | 1347-4065 0021-4922 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |