High Field Effect Mobility in Si Face 4H-SiC MOSFET Made on Sublimation Grown Epitaxial Material

Autor:	Einar O. Sveinbjörnsson, H.Ö. Ólafsson, G. Gudjónsson, Fredrik Allerstam, Per Åke Nilsson, Mikael Syväjärvi, Rositza Yakimova, Christer Hallin, T. Rödle, R. Jos
Rok vydání:	2005
DOI:	10.4028/0-87849-963-6.841
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2dc9479219fea8fdc0362b2f01bb6fd1 https://doi.org/10.4028/0-87849-963-6.841 Zobrazit plný text záznamu