Transport properties of amorphous InSb and GaAs

Autor: K. L. Chopra, S. K. Barthwal
Rok vydání: 1976
Předmět:
Zdroj: Physica Status Solidi (a). 36:345-355
ISSN: 1521-396X
0031-8965
DOI: 10.1002/pssa.2210360137
Popis: Electrical conductivity and thermoelectric power of flash evaporated amorphous films of InSb and GaAs are investigated as a function of temperature of boat (evaporation temperature), substrate temperature, deposition at an angle of incidence of vapour beam, and annealing treatment. The properties of the films are very sensitive to the boat temperature; the range of exponential variation of the conductivity with inverse temperature and the corresponding activation energy increase with boat temperature. The thermoelectric power also shows large changes, being relatively temperature independent for films deposited at low boat temperatures and strongly temperature dependent for films deposited at high boat temperatures. The effects of substrate temperature are qualitatively similar to those of evaporation temperature. Annealing of as-deposited films increases the temperature dependence of the conductivity as well as the thermoelectric power. Electron microscopy and diffraction studies suggest that these results are due to occurrence of an excess of group V element in the film. The excess is a function of the evaporation and deposition temperatures. Es werden die elektrische Leitfahigkeit und die Thermospannung von extrem schnell aufgedampften amorphen InSb- und GaAs-Schichten als Funktion der Temperatur des Verdampfungsschiffchens (Aufdampftemperatur), Substrattemperatur, Aufdampfung unter einem Einfallswinkel des Dampfstrahls und Temperung untersucht. Die Eigenschaften der Schichten hangen empfindlich von der Aufdampftemperatur ab, wobei der Bereich der exponentiellen Abhangigkeit der Leitfahigkeit mit der inversen Temperatur und die entsprechende Aktivierungsenergie mit der Schiffchentemperatur zunehmen. Die Thermospannung zeigt ebenfalls grose Anderungen; sie ist relativ temperaturunabhangig fur bei niedrigen Aufdampftemperaturen aufgebrachte Schichten und stark temperaturabhangig fur Schichten, die bei hohen Verdampfungstemperaturen aufgebracht werden. Die Einflusse der Substrattemperatur sind denen der Aufdampftemperatur ahnlich. Eine Temperung der Schichten sofort nach Aufbringen erhoht sowohl die Temperaturabhangigkeit der Leitfahigkeit als auch der Thermospannung. Elektronenmikroskopie und Beugungsuntersuchungen zeigen, das diese Ergebnisse durch einen Uberschus des Elements der V. Gruppe in der Schicht verursacht werden. Dieser Uberschus ist eine Funktion der Aufdampf-und Niederschlagstemperatur.
Databáze: OpenAIRE
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