Growth and characterization of silicon ribbons produced by a capillary action shaping technique

Autor: T. F. Ciszek, G. H. Schwuttke
Rok vydání: 1975
Předmět:
Zdroj: Physica Status Solidi (a). 27:231-241
ISSN: 1521-396X
0031-8965
DOI: 10.1002/pssa.2210270127
Popis: Silicon ribbons 0.5 mm in thickness were grown by a capillary action shaping technique using graphite capillary dies. Ribbons up to 1.3 m in length and 12 mm in width were obtained. Crystallographic ribbon perfection was studied through X-ray topography. MOS structures were used to measure minority carrier lifetimes. Unintentionally doped ribbons were approximately 10 Ωcm and p-type. Ribbons of high perfection had lifetime values comparable to those measured on zero dislocation density Czochralski-grown substrates, i.e. greater than 100 μs. Siliziumbander von 0,5 mm Dicke wurden mit Hilfe eines Graphitstempels, der eine Kapillare enthielt, und durch Anwendung einer Kristallziehtechnik, die auf der Kapillarwirkung beruht, hergestellt. Es wurden 1,3 m lange und 12 mm breite Siliziumbander gezogen. Die kristallographische Perfektion der Bander wurde durch Rontgentopographie untersucht. Die Minoritatstragerlebensdauer in den Siliziumbandern wurde mit Hilfe von MOS-Strukturen gemessen. Unabsichtlich dotierte Bander hatten einen Widerstand von 10 Ωcm und waren p-dotiert. Bander mit guter Perfektion ergaben fur die Lebensdauer Werte von 100 μs und besser. Diese Daten sind vergleichbar mit Werten die man an guten Czochralskigezogenen Siliziumscheiben erhalt.
Databáze: OpenAIRE
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