Epitaxial Growth of Fe3O4 Layers on the C-Plane of Sapphire by Pulsed Laser Deposition

Autor:	V. A. Berezin, I. V. Malikov, L. A. Fomin, Gennady M. Mikhailov
Rok vydání:	2019
Předmět:	010302 applied physics Materials science Annealing (metallurgy) General Chemical Engineering Ultra-high vacuum Metals and Alloys Analytical chemistry 02 engineering and technology 021001 nanoscience & nanotechnology Epitaxy 01 natural sciences Pulsed laser deposition Inorganic Chemistry Electrical resistivity and conductivity Torr 0103 physical sciences Materials Chemistry Sapphire Surface roughness 0210 nano-technology
Zdroj:	Inorganic Materials. 55:42-48
ISSN:	1608-3172 0020-1685
DOI:	10.1134/s0020168519010072
Popis:	We have studied the effect of substrate temperature and molecular oxygen pressure on the growth of thin (
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2ad77a22bfee9f75e420b772079c7b6d https://doi.org/10.1134/s0020168519010072 Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu PDF Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.