High mobility (>30 cm2 V−1 s−1) and low source/drain parasitic resistance In–Zn–O BEOL transistor with ultralow <10−20 A μm−1 off-state leakage current
| Autor: | Tomoaki Sawabe, Tomomasa Ueda, Nobuyoshi Saito, Tsutomu Tezuka, Keiji Ikeda, Junji Kataoka |
|---|---|
| Rok vydání: | 2019 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Japanese Journal of Applied Physics. 58:SBBJ07 |
| ISSN: | 1347-4065 0021-4922 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|