Interface States in Abrupt SiO2/4H- and 6HSiC(0001) from First-Principles: Effects of Si Dangling Bonds, C Dangling Bonds and C Clusters
Autor: | Tamotsu Jikimoto, Toshiharu Ohnuma, Hidekazu Tsuchida |
---|---|
Rok vydání: | 2004 |
Předmět: | |
Zdroj: | Materials Science Forum. :1297-1300 |
ISSN: | 1662-9752 |
DOI: | 10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.1297 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |