Interface States in Abrupt SiO2/4H- and 6HSiC(0001) from First-Principles: Effects of Si Dangling Bonds, C Dangling Bonds and C Clusters

Autor: Tamotsu Jikimoto, Toshiharu Ohnuma, Hidekazu Tsuchida
Rok vydání: 2004
Předmět:
Zdroj: Materials Science Forum. :1297-1300
ISSN: 1662-9752
DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.1297
Databáze: OpenAIRE