Enhanced resistive switching properties of HfAlOx/ZrO2- based RRAM devices

Autor:	P.R. Sekhar Reddy, Venkata Raveendra Nallagatla, Yedluri Anil Kumar, G. Murali
Rok vydání:	2022
Předmět:	General Materials Science
Zdroj:	Progress in Natural Science: Materials International. 32:602-607
ISSN:	1002-0071
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::253efa3a6f76e097dfd15f5135e7e47f https://doi.org/10.1016/j.pnsc.2022.09.013 Zobrazit plný text záznamu Full Text from ScienceDirect