Ion-implanted GaAs MESFET's with W/WNx bi-layer gate designs

Autor:	null Tzu-Jin Yeh, null Yi-Jen Chan, null Tien-Huat Gan
Rok vydání:	2005
Zdroj:	International Electron Devices and Materials Symposium.
DOI:	10.1109/edms.1994.863810
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::216b2babee54a72ec679d85e85e249e3 https://doi.org/10.1109/edms.1994.863810 Zobrazit plný text záznamu