GeSn/Ge Pin Diodes on Si with Sn Contents up to 14 %

Autor:	Joerg Schulze, Michael Oehme
Rok vydání:	2019
Předmět:	Materials science law business.industry PIN diode Optoelectronics business law.invention
Zdroj:	ECS Transactions. 93:45-48
ISSN:	1938-5862 1938-6737
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::20dc63836fd07888617bca82d266319e https://doi.org/10.1149/09301.0045ecst Zobrazit plný text záznamu