Quantum Capacitance of a Dual-Gate Field-Effect Transistor

Autor: I. B. Fedorov, S. I. Dorozhkin, A. A. Kapustin
Rok vydání: 2021
Předmět:
Zdroj: Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 15:1168-1173
ISSN: 1819-7094
1027-4510
DOI: 10.1134/s1027451021060070
Databáze: OpenAIRE