Quantum Capacitance of a Dual-Gate Field-Effect Transistor
Autor: | I. B. Fedorov, S. I. Dorozhkin, A. A. Kapustin |
---|---|
Rok vydání: | 2021 |
Předmět: | |
Zdroj: | Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 15:1168-1173 |
ISSN: | 1819-7094 1027-4510 |
DOI: | 10.1134/s1027451021060070 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |