Influence of defects and temperature on the annihilation of positrons in neutron-irradiated silicon

Autor:	S. Dannefaer, D. Kerr, G. W. Dean, B. G. Hogg
Rok vydání:	1976
Předmět:	Nuclear physics Materials science Positron Annihilation Silicon chemistry chemistry.chemical_element Neutron Irradiation Atomic physics
Zdroj:	Physical Review B. 14:2709-2714
ISSN:	0556-2805
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1f419443368bfde756de4f3c3bb68f25 https://doi.org/10.1103/physrevb.14.2709 Zobrazit plný text záznamu