Integration of ZnO-Based Resistive-Switching Memory and Ge2Sb2Te5-Based Phase-Change Memory

Autor:	Chih-Ying Chen, Yu-Hsiu Feng, Hong-Lin Lu, Feng-En Chang, Jui-Yuan Chen
Rok vydání:	2023
Předmět:	Materials Chemistry Electrochemistry Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	ACS Applied Electronic Materials. 5:2583-2589
ISSN:	2637-6113
DOI:	10.1021/acsaelm.3c00064
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1ef425f98de71018703c633f01aab781 https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c00064 Zobrazit plný text záznamu