AlGaN/GaN HEMT on 3C-SiC/Low-Resistivity Si Substrate for Microwave Applications

Autor: Akio WAKEJIMA, Arijit BOSE, Debaleen BISWAS, Shigeomi HISHIKI, Sumito OUCHI, Koichi KITAHARA, Keisuke KAWAMURA
Rok vydání: 2022
Předmět:
Zdroj: IEICE Transactions on Electronics. :457-465
ISSN: 1745-1353
0916-8524
DOI: 10.1587/transele.2022mmi0009
Databáze: OpenAIRE