AlGaN/GaN HEMT on 3C-SiC/Low-Resistivity Si Substrate for Microwave Applications
Autor: | Akio WAKEJIMA, Arijit BOSE, Debaleen BISWAS, Shigeomi HISHIKI, Sumito OUCHI, Koichi KITAHARA, Keisuke KAWAMURA |
---|---|
Rok vydání: | 2022 |
Předmět: | |
Zdroj: | IEICE Transactions on Electronics. :457-465 |
ISSN: | 1745-1353 0916-8524 |
DOI: | 10.1587/transele.2022mmi0009 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |