Physical properties of GaN nanowires with core-shell InGaN/GaN insertions grown by PA-MBE on Si substrate

Autor:	Bondarenko, Dariya, Gridchin, Vladislav, Kotlyar, Konstantin, Reznik, Rodion, Kirilenko, Demid, Baranov, Artem, Dragunova, Anna, Kryzhanovskaya, Natalia, Maksimova, Alina, Cirlin, George
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2023
Předmět:	micro light-emitting diodes GaN/InGaN nanowires thick core-shell InGaN insertions микросветоизлучающие диоды молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией plasma-assisted molecular beam epitaxy нитевидные нанокристаллы GaN/InGaN объемные вставки структуры «core-shell» InGaN
DOI:	10.18721/jpm.161.227
Popis:	An approach to the fabrication of LED structure based on GaN nanowires with thick core-shell InGaN insertions with high indium content is studied. The results of optical measurements demonstrate the photoluminescence from the InGaN insertions in the green spectrum at room temperature. The study of electrical properties shows typical diode dependence. The results can be crucial for the development of light-emitting diodes on Si substrates. Исследован подход к созданию светоизлучающей структуры на основе нитевидных нанокристаллов GaN с объемными вставками структуры «core-shell» InGaN с высоким содержанием индия. Результаты оптических измерений демонстрируют фотолюминесценцию вставок InGaN в зеленом спектре при комнатной температуре. Изучение электрических свойств показывает типичную диодную зависимость. Результаты могут иметь решающее значение для разработки светоизлучающих диодов на кремниевых подложках.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c05fd4d4cd926a0fd604e9c53620845 Zobrazit plný text záznamu