Adjustments of refractive index and stress of SiO2 films prepared by IBS technology
| Autor: | 姜玉刚 Jiang Yugang, 刘华松 Liu Huasong, 季一勤 Ji Yiqin, 王利栓 Wang Lishuan |
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| Rok vydání: | 2013 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Optics and Precision Engineering. 21:2238-2243 |
| ISSN: | 1004-924X |
| Popis: | 基于正交试验方法,系统研究了用离子束溅射法制备SiO2薄膜其折射率、应力与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之间的关联性.使用分光光度计和椭圆偏振仪测量SiO2薄膜透过率光谱和反射椭偏特性,利用全光谱反演计算法获得薄膜的折射率,通过测量基底镀膜前后的表面变形量得到SiO2薄膜的应力.实验结果表明,工艺参数对薄膜折射率影响权重从大到小依次为氧气流量、基板温度、离子束流和离子束压,前三者对折射率影响的可信概率分别为87.03％、71.98％和69.53％;对SiO2薄膜应力影响权重从大到小依次为基板温度、离子束压、氧气流量和离子束流,前三者对应力影响的可信概率分别为95.62％、48.49％和37.88％.得到的结果表明,制备低折射率SiO2薄膜应选择高氧气流量、低基板温度和低离子束流;制备低应力SiO2薄膜应选择低基板温度和高氧气流量. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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