Modeling of interfacial profile of axial GaAs/AlAs nanowire heterostructures
| Autor: | Leshchenko, Egor, Dubrovskii, Vladimir |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2023 |
| Předmět: | |
| DOI: | 10.18721/jpm.161.316 |
| Popis: | We describe the formation of axial GaAs/AlAs heterostructured nanowires grown via the vapor-liquid-solid method. The calculations are based on the combination of mass balance of atoms in the droplet and the nucleation-limited composition of ternary AlxGa1-xAs nanowires. We examine the influence of growth temperature, atomic Al flux and the Au concentration in the liquid on the interfacial abruptness. In particular, we compare the compositional profiles of heterostructures in Au-catalyzed and self-catalyzed nanowires. The obtained results might be useful for growth of GaAs/AlAs heterostructured nanowires. Проведено теоретическое исследование формирования осевой гетероструктуры GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах, выращенных по механизму пар-жидкость-кристалл. В основе модели лежит материальный баланс в капле, где встраивание атомов в нитевидный нанокристалл лимитировано нуклеацией. Изучено влияние температуры роста, потока алюминия и концентрации золота в капле на резкость гетероперехода. В частности, мы сравниваем профили состава гетерострутурных авто-каталитических и Au-каталитических нитевидных нанокристаллов. Полученные результаты могут быть полезны при росте осевых гетеростуктур GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|