Minority Carrier Transport and Radiative Recombination in AlxGa1−xAs Variable-Composition Structures

Autor: V. I. Osinskii, S. A. Malyshev, M. P. Ryzhkov
Rok vydání: 1982
Předmět:
Zdroj: physica status solidi (a). 74:43-50
ISSN: 1521-396X
0031-8965
DOI: 10.1002/pssa.2210740103
Popis: Some features of minority carrier transport and radiative recombination in semiconductor AlxGa1−xAs structures with varying band-gap are given. The behaviour of the distribution of the basic electrical and physical parameters in the bulk of a semiconductor is shown to be determined by the rate of band-gap change along the coordinate. The dependence of the rate of radiative recombination on the band-gap variation law is found. Einige Merkmale des Minoritatstragertransports und der strahlenden Rekombination in halb-leitenden AlxGa1−xAs-Strukturen mit variierender Bandlucke werden dargestellt. Es wird gezeigt, das die Verteilung der grundlegenden elektrischen und physikalischen Parameter im Halbleiter-volumen durch die Rate der Bandluckenanderung in einer Koordinatenrichtung bestimmt wird. Es wird die Abhangigkeit der Rate der strahlenden Rekombination vom Verlauf der Bandluckenanderung gefunden.
Databáze: OpenAIRE
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