Comparative Studies of Fast Recombination Processes in Amorphous Silicon Films

Autor:	W. Nowick, F. Kerstan, V. Brückner, H. Bergner
Rok vydání:	1983
Předmět:	Amorphous silicon Glow discharge Electron mobility business.industry Analytical chemistry Condensed Matter Physics Evaporation (deposition) Electronic Optical and Magnetic Materials chemistry.chemical_compound Semiconductor chemistry Sputtering Picosecond Charge carrier business
Zdroj:	physica status solidi (b). 117:603-610
ISSN:	1521-3951 0370-1972
DOI:	10.1002/pssb.2221170221
Popis:	Comparative studies of recombination processes of laser-induced charge carriers in the picosecond range are performed in amorphous silicon films prepared by glow discharge technique, UHV evaporation, and sputtering. By means of time-resolved reflectivity and conductivity measurements a two-step relaxation process is obtained, where the time of the fast recombination process decreases with increasing defect density. Some semiconductor parameters (recombination constant, capture cross-section, carrier mobility) are estimated using experimental results. Vergleichende Untersuchungen von Rekombinationsprozessen im Pikosekundenbereich bei laser- induzierter Ladungstragererzeugung werden an amorphen Siliziumschichten vorgenommen, die mit verschiedenen Verfahren (HF-Glimmentladung, UHV-Bedampfung, Zerstaubung) hergestellt werden. Mit Hilfe von zeitaufgelosten Reflexions- und Leitfahigkeitsmessungen wird ein Zwei- Stufen-Relaxationsprozes registriert, wobei die schnelle Rekombinationszeit mit wachsender Defektdichte kurzer wird. Unter Verwendung der experimentellen Ergebnisse werden einige Halb- leiterparameter (Rekombinationsrate, Wirkungsquerschnitt, Beweglichkeit) abgeschatzt.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a4daef7aafd21f4f4484d08b5e3b6e8 https://doi.org/10.1002/pssb.2221170221 Zobrazit plný text záznamu Plný text