12.5 kV SiC Gate Turn Off Thyristor With Trench-Modulated JTE Structure

Autor:	Tongtong Yang, Xianbing Li, Yan Wang, Peng Yao, Ruifeng Yue
Rok vydání:	2022
Předmět:	Electrical and Electronic Engineering Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	IEEE Transactions on Electron Devices. 69:1258-1264
ISSN:	1557-9646 0018-9383
DOI:	10.1109/ted.2022.3146214
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1971f67b02de22e7e79d66021f7934a3 https://doi.org/10.1109/ted.2022.3146214 Zobrazit plný text záznamu