Black-Arsenic/Germanium-on-Insulator Heterostructure Field Effect Transistor for Ultrafast Polarization Sensitive Short-Wave Infrared Photodetection

Autor:	John Wellington John, Veerendra Dhyani, Alka Jakhar, Harmanpreet Kaur Sandhu, Sheetal Dewan, Samit K. Ray, Samaresh Das
Rok vydání:	2022
Předmět:	Electrical and Electronic Engineering Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	IEEE Electron Device Letters. 43:1495-1498
ISSN:	1558-0563 0741-3106
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::18fb03edcf1d921d9285be0d4d62fc9f https://doi.org/10.1109/led.2022.3193724 Zobrazit plný text záznamu