Metal Oxide Transistors with Good Substrate Latitude

Autor:	Shelby F. Nelson, Lee Tutt, David Levy, Mitchell Burberry
Rok vydání:	2011
Zdroj:	NIP & Digital Fabrication Conference. 27:808-810
ISSN:	2169-4451
DOI:	10.2352/issn.2169-4451.2011.27.1.art00102_2
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::186519bb5b538b5a6f2b3bb01536a3c2 https://doi.org/10.2352/issn.2169-4451.2011.27.1.art00102_2 Zobrazit plný text záznamu