Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)

Autor:	Kallinger, Birgit
Rok vydání:	2011
DOI:	10.24406/publica-fhg-279041
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1853d9f3a08cf1548b163780f40c582f Zobrazit plný text záznamu