Low-temperature Si and Si:Ge epitaxy by ultrahigh vacuum/chemical vapor deposition: Process fundamentals
Autor: | B. S. Meyerson |
---|---|
Rok vydání: | 2000 |
Předmět: | |
Zdroj: | IBM Journal of Research and Development. 44:132-141 |
ISSN: | 0018-8646 |
DOI: | 10.1147/rd.441.0132 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |