Low-temperature Si and Si:Ge epitaxy by ultrahigh vacuum/chemical vapor deposition: Process fundamentals

Autor: B. S. Meyerson
Rok vydání: 2000
Předmět:
Zdroj: IBM Journal of Research and Development. 44:132-141
ISSN: 0018-8646
DOI: 10.1147/rd.441.0132
Databáze: OpenAIRE