GaAs to Si Direct Wafer Bonding at T ≤ 220 °C in Ambient Air Via Nano-Bonding™ and Surface Energy Engineering (SEE)

Autor: Aashi R. Gurijala, Amber A. Chow, Shaurya Khanna, Nikhil C. Suresh, Pranav V. Penmatcha, Siddarth V. Jandhyala, Mohammed Sahal, Wesley Peng, Thilina N. Balasooriya, Sukesh Ram, Timoteo Diaz, Michelle Bertram, Christian E. Cornejo, Karen L. Kavanagh, Robert J. Culbertson, Nicole Herbots
Rok vydání: 2022
Předmět:
Zdroj: Silicon. 14:11903-11926
ISSN: 1876-9918
1876-990X
DOI: 10.1007/s12633-022-01855-9
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: