Relaxation of Si1-xGex buffer layers on Si(100) through helium ion implantation

Autor:	H. Trinkaus, Thomas Hackbarth, St. Lenk, H-J Herzog, Bernhard Holländer, S. Mantl, Paulo Fernando Papaleo Fichtner, D. Kirch, Martina Luysberg
Rok vydání:	2018
Předmět:	Ion implantation Materials science chemistry Relaxation (physics) chemistry.chemical_element Molecular physics Buffer (optical fiber) Helium
Zdroj:	Microscopy of Semiconducting Materials 2001 ISBN: 9781351074629 Microscopy of Semiconducting Materials 2001
DOI:	10.1201/9781351074629-37
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::13f607755544192f886213d1780c5374 https://doi.org/10.1201/9781351074629-37 Zobrazit plný text záznamu