Transformation of N-Polar Inversion Domains from AlN Buffer Layers during the Growth of AlGaN Layers

Autor:	I. V. Osinnykh, T. V. Malin, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazancev, K. S. Zhuravlev
Rok vydání:	2022
Předmět:	Condensed Matter Physics Atomic and Molecular Physics and Optics Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	Semiconductors. 56:352-359
ISSN:	1090-6479 1063-7826
DOI:	10.1134/s1063782622070077
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::131bb65571aff0c8e2d157fb6bdb244d https://doi.org/10.1134/s1063782622070077 Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu PDF Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.