New Insight in Scandium-Mediated Growth Techniques: Sc-Related Defects in 4H-SiC and 6H-SiC

Autor:	U. Gerstmann, S. Greulich-Weber, E. Rauls, Johann Martin Spaeth, E.N. Kalabukhova, E.N. Mokhov, Francesco Mauri
Rok vydání:	2007
DOI:	10.4028/0-87849-442-1.469
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::11bfe0d0d986ddcd2b35f92bf18f6932 https://doi.org/10.4028/0-87849-442-1.469 Zobrazit plný text záznamu