Полуклассическая 3D модель КНИ МОП нанотранзистора с ультратонкой рабочей областью
| Jazyk: | ruština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2020 |
| Předmět: | |
| DOI: | 10.25682/niisi.2019.5.0005 |
| Popis: | Обсуждается трехмерная модель наноразмерного КНИ МОП транзистора на основе самосогласованного решения 3D уравнение Пуассона и Шредингера, в которой проявляются превалирующие коротко-канальные и квантово-механические эффекты, ограничивающие масштабирование топологии транзистора. Данные уравнения решаются методом разделения переменных. Численно проанализирован с учетом дрейфового-диффузионного переноса заряда ток в прототипе транзистора с ультра тонкой низколегированной рабочей областью. Показано, что есть возможность частичной компенсации коротко- канальных и квантово-механических эффектов A three-dimensional model of a nanoscale SOI MOSFET based on a self-consistent solution of the 3D Poisson and Schrdinger equation is discussed, in which the prevailing short-channel and quantum mechanical effects limiting the scaling of the transistor topology are manifested. These equations are solved by separating the variables. The current in the prototype transistor with an ultra-thin low-doping channel area is numerically analyzed taking into account the drift-diffusion charge transfer. It is shown that there is a possibility of partial compensation of short-channel and quantum-mechanical effects. №5 (2020) |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|