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Les films d’oxyde d’indium non dopes ont ete obtenus par evaporation d’un melange pulverulent d’In2 O3 et d’indium metallique en presence d’oxygene suivie d’un traitement thermique sous vide . Nous avons mene des investigations sur les proprietes structurales optiques et electroniques des couches minces. Ces etudes ont revele que dans les conditions optimales de temperature et de pression les films d’In2 O3 manifestent une degenerescence totale associee a une transparence elevee dans le visible avec un gap direct de 3,68 eV et indirect de 2,65 eV. L’exploitation des spectres de transmission T(λ) a permis â l’aide de la methode de MANIFACIER et du modele de DRUDE, la determination des constantes optiques n et k, de la constante dielectrique e et de la masse effective du materiau.Les mesures de resistivite et de l’effet Hall ont mis en evidence une conductivite du type n par liberation d’electrons de niveaux donneurs due a une non-stoechiometrie avec une resistivite de 8.10-λ Ω cm et une densite de porteurs de 1.2 1020 cm-3 .L’ensemble de ces resultats et l’etude du mecanisme de conduction ont conduit a l’elaboration d un modele de bandes de In2 O3 en couches minces. |
