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Zusammenfassung Es werden 3 Verfahren fur die Abtrennung dunner Schichten vom GaAs hinsichtlich ihres Tiefenauflosungsvermogens und ihrer Reproduzierbarkeit miteinander verglichen: 1. Chemisches Atzen mit methanolischer Bromlosung, 2. mechanische Abtrennung mit einem Hartschnittmikrotom und 3. chemisches Atzen nach vorheriger anodischer Oxydation bei Verwendung der amperostatischen Arbeitsweise. Die Bedingungen wurden jeweils optimiert. Das Tiefenauflosungsvermogen liegt beim chemischen Atzen bei 0,4 μm, beim mechanischen Abtrennen bei 1 μm und bei der anodischen Oxydation bei 0,02 μm. Somit ist die anodische Oxydation besonders fur eine Profilanalyse, die mechanische Abtrennung fur die Untersuchung dickerer Schichten geeignet. Das chemische Atzen nimmt eine Zwischenstellung ein. Fur die analytische Bestimmung der Spurenelemente in den sich ergebenen Mikroproben wurden die Atomemissionsspektrographie (AES) mit Gleichstrombogenanregung und die Atomabsorptionsspektrometrie mit elektrothermischer Atomisierung in einer Graphitrohrkuvette (AAS) eingesetzt. Ein Vergleich der angegebenen Nachweisgrenzen zeigt, das die absoluten Nachweisgrenzen der AAS und fur die Mikroproben von 0,1 bis 0,2 mg auch die relativen Nachweisgrenzen durchschnittlich eine Zehnerpotenz besser als die der AES sind. Der Vorteil der AES liegt |
